SSD ADATA XPG Gammix S70 Blade M.2 2280 NVMe 512 Go
- VendeurADATA
Description
ADATA SSD XPG Gammix S70 Blade M.2 2280 NVMe 512 Go
SSD au format M.2 2280 avec technologie PCIe Gen4 x4 avancée
XPG GAMMIX S70 BLADE. Capacité de stockage SSD : 512 Go, format SSD : M.2, vitesse de lecture : 7400 Mo/s, vitesse d’écriture : 2600 Mo/s, composant pour : PC/ordinateur portable
XPG GAMMIX S70 BLADE, 512 Go, M.2, 7400 Mo/s
Mémoire flash 3D NAND
Dans le cas de la 3D NAND (également appelée V-NAND ou 3D V-NAND), les transistors sont orientés verticalement par rapport à la surface de la puce et les cellules de mémoire flash sont disposées en couches superposées. Cela permet d’obtenir une densité de stockage plus élevée tout en réduisant le risque d’interférences entre les cellules. Grâce aux connexions raccourcies entre les cellules, les performances électriques augmentent et, par conséquent, la consommation d’énergie diminue.
Spécifications
- Domaine d’utilisation du SSD:
- Grand public
- Interface de stockage:
- U.2 (PCIe 4.0 x4)
- Particularités:
- Sans dissipateur thermique
- Capacité totale de stockage:
- 512 Go
- Vitesse de lecture max.:
- 7400 Mo/s
- Vitesse d’écriture max.:
- 2600 Mo/s
- Flash NAND:
- NAND 3D
- IOPS de lecture séquentielle 4 Ko:
- 750000 IOPS
- IOPS d’écriture séquentielle 4 Ko:
- 750000 IOPS
- Facteur de forme du SSD:
- M.2 2280
- Interface du disque:
- NVMe
- TBW max. (Total Bytes Written):
- 5920 To
- Épaisseur du SSD:
- 3,3 mm
SSD ADATA XPG Gammix S70 Blade M.2 2280 NVMe 512 Go
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115.90
SSD M.2 2280, 512 Go, U.2 (PCIe 4.0 x4) | Hauteur : 3,3 mm | Mémoire flash NAND : 3D NAND | Vitesse de lecture max. : 7 400 Mo/s | Vitesse d’écriture max. : 2 600 Mo/s
Description
ADATA SSD XPG Gammix S70 Blade M.2 2280 NVMe 512 Go
SSD au format M.2 2280 avec technologie PCIe Gen4 x4 avancée
XPG GAMMIX S70 BLADE. Capacité de stockage SSD : 512 Go, format SSD : M.2, vitesse de lecture : 7400 Mo/s, vitesse d’écriture : 2600 Mo/s, composant pour : PC/ordinateur portable
XPG GAMMIX S70 BLADE, 512 Go, M.2, 7400 Mo/s
Mémoire flash 3D NAND
Dans le cas de la 3D NAND (également appelée V-NAND ou 3D V-NAND), les transistors sont orientés verticalement par rapport à la surface de la puce et les cellules de mémoire flash sont disposées en couches superposées. Cela permet d’obtenir une densité de stockage plus élevée tout en réduisant le risque d’interférences entre les cellules. Grâce aux connexions raccourcies entre les cellules, les performances électriques augmentent et, par conséquent, la consommation d’énergie diminue.
