onit USB-Wandladegerät Travel 2C1A 100 W GaN
- Vendoronit
Description
onit USB-Wandladegerät Travel 2C1A 100 W GaN
Reiseladegerät mit Wechseladaptern für den weltweiten Einsatz
Ladepower für unterwegs
Dieses Ladegerät von onit versorgt Smartphone, Tablet, Laptop und weitere Endgeräte unterwegs zuverlässig mit Energie. Dabei ermöglicht die GaN Technologie eine hohe Ladeleistung bei kompakter Bauweise. Dank Wechseladaptern und weitem Eingangsspannungsbereich ist es weltweit einsetzbar. Es unterstützt gängige Schnellladeprotokolle und eignet sich ideal zum Laden leistungsstarker Endgeräte.
GaN-Technologie
Galliumnitrid (GaN) ist ein leistungsfähiges Halbleitermaterial, das unter anderem in modernen Ladegeräten verwendet wird. Es erhöht die Effizienz, reduziert die Wärmeentwicklung und verlängert die Lebensdauer.
Die Ausgangsleistung passt sich automatisch dem angeschlossenen Endgerät an. Die bestmögliche Ladeleistung wird erreicht, wenn das verwendete Kabel die Leistungsanforderungen sowohl des Endgeräts als auch des Ladegeräts unterstützt. Unterstützte Schnellladeprotokolle: USB PD 3.0 inkl. PPS, QC 3.0 / 2.0, AFC, SCP.
Specifications
- Ladeport Output:
- 1x USB-A 18W, 2x USB-C 100W
- Verpackungseinheit:
- 1 Stück
- USB Ladeanschluss (Output):
- 3
- Detailfarbe:
- Schwarz
- Material:
- Polycarbonat (PC)
onit USB-Wandladegerät Travel 2C1A 100 W GaN
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40.00
100 – 240 V Eingang inkl. Steckern für EU / US / UK / AU | 2× USB-C bis 100 W, 1× USB-A bis 18 W | Bis zu drei Geräte gleichzeitig laden mit bis zu 100 W Gesamtleistung | Schnelles Laden dank Unterstützung gängiger Schnellladeprotokolle | Intelligentes PPS für optimale Spannungs- und Stromanpassung | Display für Leistung und Temperatur, Schutz vor Kurzschluss und Überhitzung
Description
onit USB-Wandladegerät Travel 2C1A 100 W GaN
Reiseladegerät mit Wechseladaptern für den weltweiten Einsatz
Ladepower für unterwegs
Dieses Ladegerät von onit versorgt Smartphone, Tablet, Laptop und weitere Endgeräte unterwegs zuverlässig mit Energie. Dabei ermöglicht die GaN Technologie eine hohe Ladeleistung bei kompakter Bauweise. Dank Wechseladaptern und weitem Eingangsspannungsbereich ist es weltweit einsetzbar. Es unterstützt gängige Schnellladeprotokolle und eignet sich ideal zum Laden leistungsstarker Endgeräte.
GaN-Technologie
Galliumnitrid (GaN) ist ein leistungsfähiges Halbleitermaterial, das unter anderem in modernen Ladegeräten verwendet wird. Es erhöht die Effizienz, reduziert die Wärmeentwicklung und verlängert die Lebensdauer.
Die Ausgangsleistung passt sich automatisch dem angeschlossenen Endgerät an. Die bestmögliche Ladeleistung wird erreicht, wenn das verwendete Kabel die Leistungsanforderungen sowohl des Endgeräts als auch des Ladegeräts unterstützt. Unterstützte Schnellladeprotokolle: USB PD 3.0 inkl. PPS, QC 3.0 / 2.0, AFC, SCP.
